製品案内(化合物ウェハー) | 半導体・電子部品製造用装置部品・消耗品の販売 | 株式会社イープライズ

化合物ウェハー

化合物ウェハー


サファイアウェハー

項目: Unit 仕様
サイズ: inch 2 3 4 6
直径: mm 50.8±0.1 76.2±0.2 100±0.5 150±0.5
結晶方位: - C面(0001)
厚み: μm 430 500 / 550 650 1300
厚み公差: μm 25
オリフラ長さ: mm 16.0±1.0 22.0±1.0 32.5±2.0 50±2.0
オリフラ方位: - A面(11-20)
TTV: μm ≦10 ≦10 ≦20 ≦20
表面仕上げ: mm Epi-ready
(Ra≦0.2)
裏面仕上げ: μm 0.5≦Ra≦1.2
備考: - ※上記以外の仕様は別途お問い合わせください。


SiCウェハー

項目: Unit 仕様
サイズ: inch 2 3 4
ポリタイプ: - 4H-N / 6H-半絶縁
厚み: μm 330±25 / 430±25 350±25 / 380±25 350±25
オフ角: ° 0.0±0.5 / 4.0±0.5
抵抗率: Ω・㎝ 0.01 ~ 0.10
マイクロパイプ: cm-2 ≦10 / ≦30
1次オリフラ: -
2次オリフラ: -
TTV: μm ≦1 / ≦5 / ≦10 / ≦50
Bow: μm ≦10 / ≦30 / ≦50
Warp: μm ≦10 / ≦30 / ≦50
Si面状態: mm CMP研磨 (Ra≦0.5)
C面状態: mm 鏡面研磨 (Ra≦1.0)
備考: - ※オリフラ長さなど詳細については別途お問い合わせください。
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